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O HBM3E da Samsung foi um desastre, mas há um caminho de volta

Comentário Apesar de relatar um aumento aparentemente impressionante de 274 por cento no lucro operacional para o terceiro trimestre de 2024, a Samsung Electronics está em modo de crise. Por trás destes dados financeiros está uma estratégia de semicondutores que está a desmoronar, colocando sérios desafios ao gigante tecnológico sul-coreano.

A empresa na semana passada emitiu um pedido público de desculpas para investidores, clientes e funcionários, indicando consciência dos obstáculos que enfrenta. Os lucros reportados mascaram questões mais profundas, incluindo oportunidades de mercado perdidas, reveses competitivos e uma mudança de liderança que sugere turbulência interna.

No centro das dificuldades da Samsung está uma série de erros no seu negócio de semicondutores. A empresa havia prometido avanços substanciais aos investidores, apostando fortemente em tecnologias como seus chips HBM3E (memória de alta largura de banda) de 12 camadas. No entanto, estes esforços foram prejudicados por fracassos, permitindo que os concorrentes ganhassem vantagem.

A aventura da Samsung no HBM3E de 12 camadas não atendeu às expectativas. O objetivo do produto era capitalizar o crescente mercado de IA, e as indicações eram de que a Samsung forneceria componentes essenciais para as GPUs de próxima geração da Nvidia. Em vez disso, a implementação foi prejudicada por problemas térmicos e consumo excessivo de energia. Estes problemas técnicos são particularmente prejudiciais quando – como foi alegadamente o caso – o principal cliente é a Nvidia, um player líder em hardware de IA conhecido pelos rigorosos requisitos dos fornecedores. Depois de meses de relatos de prazos não cumpridos e questões não resolvidasa Nvidia parece ter comprado uma quantidade substancial de produtos de SK hynix.

O problema de não imediatamente ser capaz de atender à necessidade de certos chips avançados de IA envia uma mensagem à indústria sobre a confiabilidade da Samsung. Em um mercado de memória em rápido crescimento alimentado pela IA, a perda potencial de players importantes como a Nvidia pode ser um revés substancial. Enquanto a Samsung aborda seus problemas técnicos, a SK hynix e a Micron aproveitaram a oportunidade, estabelecendo-se como os fornecedores preferidos da indústria de tecnologia de memória funcional HBM3E de 12 camadas. Esta situação prejudica a reputação da Samsung como líder em chips de memória e pode ter repercussões a longo prazo.

foto aérea do sk hynix flash fab

Buffet de memória de alta largura de banda da SK Hynix totalmente reservado até 2025

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Em resposta a estes desafios, a Samsung empreendeu uma grande reestruturação corporativa. Os principais executivos das divisões de memória, fundição, System LSI e manufatura foram substituídos, com novos líderes nomeados para funções-chave. Embora a Samsung apresente esta medida como uma iniciativa estratégica, parece ser um esforço concertado para demonstrar seriedade na resolução dos problemas. No entanto, apenas mudar a gestão pode não ser suficiente para resolver questões fundamentais na entrega e qualidade do produto.

No negócio de fundição em maio, Kye-Hyun Kyung assumiu a liderança em um ambiente dominado pela TSMC de Taiwan. A Samsung já havia procurado atrair clientes como AMD e Apple prometendo desempenho superior em comparação com a TSMC. No entanto, a realidade tem sido menos favorável, uma vez que a Samsung luta com baixos rendimentos de produção. O objetivo da Kye é melhorar esses rendimentos, reconquistar a confiança dos clientes e demonstrar que as ambições de fundição da Samsung são credíveis. Dada a forte reputação e desempenho consistente da TSMC na fabricação de nós avançados, isso será um desafio.

Lee Jung-bae, um veterano da tecnologia DRAM e presidente do negócio de memória da Samsung, enfrenta a formidável tarefa de corrigir os problemas do HBM3E e garantir que a Samsung possa fornecer produtos que atendam aos rigorosos padrões da Nvidia – um objetivo que supostamente provou indescritível até agora. Suas prioridades incluem resolver problemas térmicos e de consumo de energia e evitar que futuras iterações da memória de alta largura de banda da Samsung encontrem contratempos semelhantes.

As dificuldades da Samsung não se limitam ao HBM3E. Persistente problemas de rendimento supostamente interromperam as operações de fundição de produção, levando clientes em potencial como AMD e Apple a confiar na TSMC. As tecnologias de próxima geração da Samsung, incluindo o seu processo Gate-All-Around (GAA) de 3 nm, foram inicialmente atrasadas e tiveram um desempenho inferior, permitindo à TSMC manter a sua liderança com resultados fiáveis ​​e a confiança dos principais consumidores comerciais, que também incluem Intel e Nvidia.

A tecnologia GAA de 3nm da Samsung pretendia ser um avanço que fecharia a lacuna com a TSMC. GAA, com sua estrutura avançada de transistor, prometeu melhor eficiência energética e desempenho em comparação com a tecnologia FinFET mais antiga.

Enquanto isso, a TSMC tem Chips de 3nm enviados com sucesso para clientes, incluindo a Apple, para seus iPhones mais recentes. Os contínuos problemas de produção da Samsung dificultam a sua capacidade de competir eficazmente com a TSMC.

Coletivamente, esses problemas representam obstáculos notáveis ​​para a divisão de semicondutores da Samsung. A decisão da Nvidia de trabalhar com SK hynix não apenas significa uma oportunidade perdida, mas também destaca para a indústria que a Samsung pode não ser mais o fornecedor confiável de memória que já foi. Enquanto a SK hynix e a Micron atendem às demandas do mercado com chips de memória de alta largura de banda, a Samsung continua a enfrentar problemas técnicos e atrasos. Ao mesmo tempo, a TSMC está superando a Samsung no negócio de fundição, entregando consistentemente chips de 3nm aos clientes, enquanto a Samsung enfrenta ineficiências de produção.

Para que as coisas mudem, a gigante da tecnologia deve abordar as seguintes áreas:

Corrija o HBM3E imediatamente: A Samsung precisa resolver os problemas térmicos e de consumo de energia que afetam sua memória HBM3E o mais rápido possível. Além disso, a empresa deve investir em pesquisa e desenvolvimento para garantir que produtos futuros, como o HBM4, sejam desenvolvidos sem repetir erros do passado. Ficar à frente das tendências do mercado é crucial para recuperar uma vantagem competitiva.

Melhore os rendimentos de produção de 3 nm: É essencial retificar os problemas de rendimento em seu processo GAA de 3 nm. A estabilização da produção e a obtenção de rendimentos competitivos são necessários para atrair grandes clientes como a AMD e a Apple. Sem processos de fabrico fiáveis, as ambições da Samsung no mercado de fundição permanecerão por realizar.

Reconstrua a confiança do cliente: Recuperar a confiança dos principais players do setor exige um desempenho consistente e confiável. A Samsung poderá ter de adotar uma estratégia de promessas insuficientes e entregas excessivas, concentrando-se no cumprimento dos compromissos em vez de fazer afirmações ousadas.

A Samsung conseguirá superar esses problemas? Possivelmente, mas o caminho a seguir é árduo. Os concorrentes garantiram posições fortes nos principais mercados. No entanto, a indústria de semicondutores é dinâmica e, com as estratégias certas e uma execução impecável, a Samsung pode trabalhar no sentido de recuperar o seu papel de liderança.

A incapacidade de resolver eficazmente as suas actuais deficiências corre o risco de relegar a Samsung para uma posição secundária num mercado que outrora dominou. ®

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